SODIMM-память Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB DDR3 SO-DIMM 1600MHz Состояние:б/у

Память SODIMM Samsung M471B5273EB0-CK0

Samsung M471B5273EB0-CK0 - небуферизованный модуль SO-DIMM объёмом 4GB на 204 контакта, собранный на 16 чипах DDR3 Samsung ёмкостью 2Gb (ревизия E-die) в двух рангах (2Rx8). Код CK0 означает DDR3-1600 с таймингами 11-11-11. Модуль б/у и проверен в нашей лаборатории.

Это память для ноутбуков, мини-ПК и моноблоков со слотом DDR3 SO-DIMM. Он хорошо подходит для замены неисправной планки или добавления 4GB в уже работающий ноутбук, например, чтобы получить 8GB в двухканальном режиме.

Модуль работает при стандартном для DDR3 напряжении 1.5V и обратно совместим с DDR3-1333 (9-9-9) и DDR3-1066 (7-7-7), поэтому подходит и для более старых компьютеров с более медленной памятью. Чипы в корпусах FBGA без свинца и галогенов, модуль соответствует RoHS.

Основные преимущества

• DDR3-1600 с CL11 - Код скорости K0 у Samsung означает 1600Mbps с таймингами 11-11-11 по стандарту PC3-12800S - максимальную распространённую частоту в ноутбуках с DDR3.
• Обратная совместимость - По данным Samsung, DDR3-1600 обратно совместима с DDR3-1333 (9-9-9) и DDR3-1066 (7-7-7), поэтому модуль работает и в ноутбуках с поддержкой более низких частот.
• Чипы Samsung 2Gb E-die - Модуль собран на 16 чипах Samsung K4B2G0846E (256Mx8), организация 512Mx64, два ранга.
• SO-DIMM для ноутбуков - Небуферизованный модуль Small Outline на 204 контакта длиной 67.6 мм и высотой 30 мм, предназначенный для основной памяти ноутбуков и компактных систем.
• Полный набор функций DDR3 - 8 внутренних банков, программируемая CAS-латентность, Burst Length 8 или Burst Chop 4, двунаправленный дифференциальный строб и On Die Termination для чистого сигнала.
• Экологичное исполнение - Корпуса 78FBGA без свинца и галогенов, соответствие RoHS.

Характеристики