זיכרון SODIMM Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB DDR3 SO-DIMM 1600MHz מצב:משומש

זיכרון SODIMM Samsung M471B5273EB0-CK0

Samsung M471B5273EB0-CK0 הוא מודול זיכרון SO-DIMM ללא באפר (Unbuffered) בנפח 4GB עם 204 פינים, הבנוי מ-16 שבבי DDR3 של Samsung בנפח 2Gb (דור E-die) בשני דירוגים (2Rx8). הקוד CK0 מציין מהירות DDR3-1600 עם תזמונים 11-11-11. המודול משומש ונבדק במעבדה.

זהו זיכרון למחשבים ניידים, למיני PC ולמחשבי All-in-One עם חריץ DDR3 SO-DIMM. הוא מתאים להחלפת מודול תקול או להוספת 4GB לנייד קיים, למשל כדי להגיע ל-8GB בערוץ כפול.

המודול עובד במתח DDR3 סטנדרטי של 1.5V ותואם לאחור למהירויות DDR3-1333 (9-9-9) ו-DDR3-1066 (7-7-7), כך שהוא עובד גם במחשבים ישנים יותר שהזיכרון שלהם איטי יותר. השבבים באריזת FBGA ללא עופרת וללא הלוגנים, בתקן RoHS.

יתרונות עיקריים

• DDR3-1600 עם CL11 - קוד המהירות K0 של Samsung פירושו 1600Mbps עם תזמונים 11-11-11, תקן PC3-12800S, המהירות הגבוהה הנפוצה בניידים עם DDR3.
• תאימות לאחור - לפי Samsung מודול DDR3-1600 תואם לאחור ל-DDR3-1333 (9-9-9) ול-DDR3-1066 (7-7-7), ולכן הוא עובד גם בניידים שתומכים במהירות נמוכה יותר.
• שבבי Samsung 2Gb E-die - המודול בנוי מ-16 שבבי K4B2G0846E (256Mx8) של Samsung עצמה, בארגון 512Mx64 ובשני דירוגים.
• SO-DIMM למחשב נייד - מודול Small Outline ללא באפר עם 204 פינים, באורך 67.6 מ"מ ובגובה 30 מ"מ, המיועד לשמש כזיכרון ראשי במחשבים ניידים ובמערכות קומפקטיות.
• תכונות DDR3 מלאות - 8 בנקים פנימיים, CAS Latency הניתן לתכנות, Burst Length 8 או Burst Chop 4, Data Strobe דו-כיווני ו-On Die Termination לאות נקי.
• ייצור ידידותי לסביבה - אריזת 78FBGA ללא עופרת וללא הלוגנים, בתקן RoHS.

מפרט טכני